特許
J-GLOBAL ID：200903047312173290
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046253
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217917
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 異種導電性接合界面を有するIII -V族化合物半導体装置において、急峻かつ精密に制御されたドーピングプロファイルを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 III -V族化合物半導体層を形成する際に、III ,V族元素とともにカーボンを添加してp型導電性を制御してP型領域を形成し、引き続いてIII ,V族元素とともにカーボンと同時に微量のn型不純物(Se)を添加することによりn型導電性を制御してN型領域を形成し、これらの層を組み合わせることにより異種導電性接合界面を有する半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
異種導電性接合界面を有するIII -V族化合物半導体装置において、III 族原子とカーボン原子との結合を有するP型領域と、V族原子とカーボン原子との結合を有するN型領域とからなる異種導電性接合面を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01S 3/18
