半導体装置、その製造方法および太陽電池

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207493
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】耐湿性に優れ、生産性が良好であり、製造コストを十分に抑制することができ、地球環境に悪影響のない半導体装置、その製造方法および太陽電池を提供すること。【解決手段】Si基板10上に窒化シリコン膜30を形成し、その上に導電性金属ペースト材料500を塗布印刷し、焼成し、ファイヤースルーによって表面銀電極501を形成する半導体装置の製造方法において、膜30が、CVD法により形成され、材料500が、銀粉末、有機ビヒクル、ガラス粉末を含み、ガラス粉末の添加量が材料500に対して1.5重量%以上、ガラス粉末の軟化点が450°C〜550°C、ガラス粉末中のB2O3の含有量が15重量%以下であり、焼成がドライエア雰囲気において800〜850°Cで行われる方法と、これから得られる半導体装置と、該半導体装置を含む太陽電池。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

pn接合を有する半導体基板の一主面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上の所定の位置に、導電性金属ペースト材料を所定の形状で塗布印刷し、焼成し、これにより前記導電性金属ペースト材料が前記絶縁膜を溶融・貫通して前記半導体基板と電気的に接触する電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜が、窒化シリコン膜、酸化チタン膜またはシリコン酸化膜であり、前記絶縁膜が、熱CVD法もしくはプラズマCVD法により形成され、前記導電性金属ペースト材料が、銀粉末、有機ビヒクルおよびガラス粉末を含み、前記ガラス粉末の添加量が、前記導電性金属ペースト材料に対して1.5重量%以上であり、前記ガラス粉末の軟化点が450°C〜550°Cであり、かつ前記ガラス粉末中におけるB2O3の含有量が15重量%以下であり、および前記焼成が、ドライエア雰囲気において、800〜850°Cの範囲の温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L31/04 , H01L21/28 , H01L21/288

FI (3件)：

H01L31/04 A , H01L21/28 B , H01L21/288 Z

Fターム (17件)：

4M104BB02 , 4M104BB08 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104GG05 , 5F051AA02 , 5F051BA03 , 5F051BA18 , 5F051CB12 , 5F051CB27 , 5F051DA09 , 5F051FA06 , 5F051FA10

引用特許：

審査官引用 (9件)

太陽電池素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-276896 出願人：京セラ株式会社
特表平3-502627
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-161266 出願人：京セラ株式会社

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