特許
J-GLOBAL ID：200903047319572092
半導体多層膜反射鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343739
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 バンドの不連続に起因する電気抵抗の増加を抑制する。【構成】 半導体多層膜反射鏡を構成する2種類の半導体の境界に、バンドギャップが一方の半導体から他方の半導体に連続的に近ずくように組成が変化している傾斜組成層を設けるとともに、その傾斜組成層の厚さtを、バンドギャップの不連続に起因するポテンシャル障壁の高さPが50meV以下となる範囲で設定した。
請求項（抜粋）：
組成が異なる第1半導体および第2半導体が交互に積層され、入射した光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡において、前記第1半導体と第2半導体との境界に、バンドギャップが一方の半導体から他方の半導体に連続的に近ずくように組成が変化している傾斜組成層を設けるとともに、該傾斜組成層の厚さを、バンドギャップの不連続に起因するポテンシャル障壁の高さが50meV以下となるように定めたことを特徴とする半導体多層膜反射鏡。
IPC (2件)：
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