特許

J-GLOBAL ID：200903047322852390

半導体装置

発明者： 角田 真由美 ,  花村 賢一郎
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255274
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094502
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、半導体素子表面に、直接又は他の絶縁層を介して、ポリイミド樹脂層を形成してなる半導体装置において、ポリイミド樹脂が、(A)全酸成分のうち50 mol%以上が、ビフェニルエーテルテトラカルボン酸成分からなり、(B)全ジアミン成分のうち50〜99 mol%が2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパンのようなジアミン化合物と、50 〜1 mol %がビス(γ-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンのようなジアミノシロキサンであるポリイミド樹脂で構成される半導体装置である。【効果】 本発明の半導体装置は、半導体製造プロセスにおいて使用される比較的低い温度においても、十分な成膜性を有し、耐湿性、密着性、加工性に優れたポリイミド樹脂層を形成したものであって、信頼性の高いものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子表面に、直接又は他の絶縁層を介して、ポリイミド樹脂層を形成してなる半導体装置において、該ポリイミド樹脂層が、下記の一般式で示されるポリイミド樹脂であって、【化1】(A)上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるR1 は4 価の有機酸残基を示して、R1 を構成する全酸成分のうちの 50 mol %以上が、次の一般式で示されるビフェニルエーテルテトラカルボン酸であり、【化2】(B)上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるR2 は2 価のジアミン残基を示し、(b-1 )R2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜99 mol%が、次の一般式で示されるジアミン化合物であり、【化3】(但し式中Xは-CH2 -、-O-、-C(CH3 )2 -、-SO2 -、-C(CF3 )2 -を表す)(b-2 )R2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜1 mol %が、次の一般式で示されるジアミノシロキサンである【化4】(但し、式中R3 及びR4 は 2価の有機基を、R5 〜R8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下の整数を表す)ことを特徴とする半導体装置。