試料像表示方法及びその表示方法を用いた半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278415
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116580
出願日： 1990年10月12日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】電子線を用いた試料像観察方法において、アスペクト比2.5 以上の深孔,溝の底部を観察すること。【解決手段】アスペクト比が2.5 以上の深孔、或いは溝に対する電子線の照射に起因して発生する電子を試料上で検出し、該検出に基づいて像を形成する。【効果】アスペクト比2.5 以上の深孔,溝の底部の観察が可能になる。

請求項（抜粋）：

アスペクト比が2.5 以上の深孔、或いは溝を備えた半導体素子に対し電子線を照射し、試料像表示を行う方法であって、前記深孔或いは溝の底部に対する前記電子線の照射に起因して発生する電子を前記試料上で検出し、該検出に基づいて前記深孔或いは溝の底部を表示することを特徴とする試料像表示方法。

IPC (4件)：

H01J 37/244 , H01J 37/22 502 , H01J 37/305 , H01L 21/66

FI (5件)：

H01J 37/244 , H01J 37/22 502 A , H01J 37/305 A , H01L 21/66 P , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-097246
特開昭54-152457
特開昭63-081743

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