特許
J-GLOBAL ID：200903047341061018
成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234724
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094500
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 単極式静電チャック9上にウェハ3を保持しながらプラズマCVDを行った後、残留電荷除去時のウェハ3上ヘのパーティクル7の付着を防止する。【構成】 プラズマCVD終了後、放電を停止し、成膜ガスを成膜室から一旦排気してから残留電荷除去用ガスを導入するか、残留電荷除去用ガスを導入しながら排気するか、またはこの導入と排気を交互に繰り返すかのいずれかを行い、その後、残留電荷除去用ガスの放電により残留電荷除去プラズマを生成させ、単極式静電チャック9の残留電荷を除去する。【効果】 単極式静電チャック9近傍のクーロン力の影響でウェハ3近傍に浮遊するパーティクル7が排気に伴って成膜室外へ除去されるので、該チャックへの印加電圧の極性反転やプラズマ照射時間に依存するパーティクル7の付着が低減できる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置の成膜室内で単極式静電チャックを用いてウェハ・ステージ上に保持されたウェハの表面に、プラズマCVDにより所定の薄膜を堆積させる第1の工程と、前記薄膜の堆積に用いた成膜ガスを前記成膜室内から排気する第2の工程と、前記成膜室内に残留電荷除去用のガスを導入する第3の工程と、前記ガスを放電させて残留電荷除去プラズマを生成させ、前記単極式静電チャックの残留電荷を除去する第4の工程とを有することを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/68
H01L 21/31 C
, H01L 21/31 F
