特許
J-GLOBAL ID：200903047341443921
ハイパワー整流器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516252
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506903
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：
【要約】ハイパワー整流器デバイスが、N-ドリフト層(200)とN+層(202)とを有する。多くのトレンチ構造(204。206)がドリフト層のN+層とは反対側に設けられ、対応するメサ領域(208)がそれぞれのトレンチ対を分離する。トレンチ構造は、それぞれが、酸化物側壁(210、212、214、216)と酸化物底部(218、220)とを含み、導電性材料で充填されている。金属層(228)が、トレンチ構造とメサ領域とに接していて、金属層とメサ領域とのインターフェースにおいてショットキ接点(232)を形成する。浅いP領域(222、224)が、それぞれのトレンチの底部からドリフト層の中に伸長している。ショットキ接点のバリアの高さが超えられると、順方向の導通が生じる。逆バイアスがかけられると、浅いP領域と酸化物側壁との周囲に空乏領域(236)が形成され、これが、ショットキ接点を高電場からシールドするメサ領域にわたる電位バリアを提供し、それによって、高い逆方向のブロッキング電圧が提供され、逆方向の漏れ電流を減少させる。このデバイスのユニポーラ構造は、低いスイッチング損失を提供し、高いスイッチング速度を可能にし、同時に、順方向の導通から逆方向のブロッキング・モードに変化する際に消費されてしまう電力を減少させることができる。
請求項（抜粋）：
整流器デバイスであって、 N+層(202)と、 前記N+層の上にあり、この整流器デバイスのためのカソード接続点を提供する第1の金属層(230)と、 前記N+層の上であって前記カソードとは反対側にあるN-ドリフト層(200)と、 前記ドリフト層の中であって前記N+層とは反対側に凹部を有する1対のトレンチ(204、206)であって、この1対のトレンチの間にある前記N-ドリフト層の部分で構成されるメサ領域(208)によって分離される1対のトレンチと、 前記トレンチのそれぞれの側部及び底部をライニングしてそれぞれのトレンチにおいて酸化物側壁と酸化物底部とを形成する酸化物層(210、212、214、216、218、220)と、 前記トレンチの前記酸化物底部から前記N-ドリフト層の中に伸長する浅いP領域(222、224)であって、それぞれが、その対応するトレンチの酸化物側壁と酸化物底部との交点に形成されたコーナの周囲に伸長している、浅いP領域と、 前記トレンチのそれぞれにおける導電性材料(226)と、 前記メサ領域と前記導電性材料と前記酸化物側壁とに接触する第2の金属層であって、前記メサ領域とのインターフェースにおいてショットキ接点(232)を形成し、この整流器デバイスのためのアノード接続点を提供する第2の金属層(228)と、 を備え、前記アノードと前記カソードとの間に加えられ前記ショットキ接点のバリアの高さよりも大きな電圧によって、前記アノードから前記カソードへ前記ショットキ接点を介して電流が流れることが可能になり、前記アノードと前記カソードとの間に加えられこのデバイスを逆バイアスする電圧は、前記ショットキ接点を高電場からシールドする前記メサ領域にわたる電位バリアを提供する空乏領域(236)を前記側壁に沿って及び前記浅いP領域の周囲に生じさせ、それによって逆方向の漏れ電流を減少させ、前記浅いP領域はそれぞれが高電場に起因する早期のブレークダウンから前記トレンチのコーナを保護し、よって、前記トレンチ酸化物の信頼性を向上させることを特徴とする整流器デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA05
, 4M104BB01
, 4M104BB40
, 4M104CC03
, 4M104EE02
, 4M104EE09
, 4M104FF01
, 4M104FF32
, 4M104GG03
, 4M104GG18
