特許
J-GLOBAL ID:200903047342819585

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-109749
公開番号(公開出願番号):特開平9-297906
出願日: 1996年04月30日
公開日(公表日): 1997年11月18日
要約:
【要約】【課題】 複数の薄膜磁気ヘッド素子が形成されたブロックの変形を生じさせることなく、複数の薄膜磁気ヘッド素子のギャップデプス出しを効率良く正確に行うことができ、しかも、製造コストが安価な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板1の一方側1aに各薄膜磁気ヘッド素子2のギャップが向くように複数の薄膜磁気ヘッド素子2を縦横に基板1上に配列形成する工程と、上記基板1の一方側1aの列1Aから順に研磨して各薄膜磁気ヘッド素子2のデプス出しを列(1A,1B)ごと行う工程と、研磨が終了した列1Aから順に薄膜磁気ヘッド素子2が整列されたブロック3に切断する工程とを備える。
請求項(抜粋):
基板上に形成された複数の薄膜磁気ヘッド素子のギャップのデプス出しを同時に行う薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板の一方側に各薄膜磁気ヘッド素子のギャップが向くように複数の薄膜磁気ヘッド素子を縦横に基板上に配列形成する工程と、上記基板の一方側の列から順に研磨して各薄膜磁気ヘッド素子のデプス出しを列ごとに行う工程と、研磨が終了した列から順に薄膜磁気ヘッド素子が整列されたブロックに切断する工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2件):
G11B 5/31 ,  G11B 5/39
FI (2件):
G11B 5/31 N ,  G11B 5/39
引用特許:
審査官引用 (2件)

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