特許
J-GLOBAL ID：200903047344021823
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152516
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】この発明は、しきい値、パンチスル-、バックゲ-ト効果等の特性を自由に制御出来る半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】この発明の半導体装置とその製造方法は、半導体基板1の溝に設けられた埋込み素子分離領域3および反転防止用不純物拡散層4と、埋込み素子分離領域の内側に形成されたソ-ス拡散層およびドレイン拡散層と、これら拡散層を跨いで埋込み素子分離領域に接続された電極配線7と、埋込み素子分離領域に沿うと共にソ-ス拡散層およびドレイン拡散層に接し、且つ少なくとも電極配線に対応する位置で基板表面から浅い領域に形成された第1の側壁不純物拡散層12と、この第1の側壁不純物拡散層の下方で基板表面から離れた深い領域に形成され基板に対して濃度が等しいかもしくは高く、反転防止用不純物拡散層および第1の側壁不純物拡散層とは濃度が異なる第2の側壁不純物拡散層13とを具備している。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された溝と、この溝に設けられた埋込み素子分離領域と、この埋込み素子分離領域の底面に形成された反転防止用不純物拡散層と、上記埋込み素子分離領域の内側に形成されたソ-ス拡散層およびドレイン拡散層と、これら拡散層を跨いで埋込み素子分離領域に接続された電極配線と、上記埋込み素子分離領域に沿うと共に上記ソ-ス拡散層およびドレイン拡散層に接し、且つ少なくとも上記電極配線に対応する位置で上記半導体基板表面から浅い領域に形成された埋込み素子分離領域から離れたところに位置するチャネル中央領域基板表面の不純物濃度より高い濃度のしきい値を制御する第1の側壁不純物拡散層と、この第1の側壁不純物拡散層の下方で上記半導体基板表面から離れた深い領域に形成された上記半導体基板に対して濃度が高く、且つ上記反転防止用不純物拡散層および第1の側壁不純物拡散層とは不純物濃度が異なる第2の側壁不純物拡散層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 21/76
, H01L 29/784
H01L 27/06 102 D
, H01L 29/78 301 X
