特許

J-GLOBAL ID：200903047344324176

スパッタ装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 山根 秀一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235816
公開番号（公開出願番号）：特開平6-081140
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：

【要約】【目的】 よりバルクに近いバリアメタル膜を成膜することが可能なスパッタ装置及び半導体装置の製造方法の改良に関し、簡単且つ容易に窒素の流量を制御することが可能で、良質のチタンナイトライド膜を形成することが可能となるスパッタ装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 反応ガスのガス供給口1aと排気口1bとを有するチャンバ1と、このチャンバ1内に設けられたターゲット7及び半導体基板9を搭載する載物台8と、このガス供給口1aに窒素ガスを供給する窒素ガス供給系統と、この窒素ガスの供給を連続的に断続制御するパルスバルブ6を具備するように構成する。

請求項（抜粋）：

反応ガスのガス供給口(1a)と排気口(1b)とを有するチャンバ(1) と、該チャンバ(1) 内に設けられたターゲット(7) 及び被処理物(9) を搭載する載物台(8) と、前記ガス供給口(1a)に窒素ガスを供給する窒素ガス供給系統と、該窒素ガスの供給を連続的に断続制御するパルスバルブ(6) を具備することを特徴とするスパッタ装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301