特許
J-GLOBAL ID：200903047351155940
化合物半導体の選択エッチング方法とこの方法を用いた化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236440
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083985
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 フッ素を使用せず酸素と塩素との混合ガスを用いて、GaAs/AlGaAsの選択エッチングを行うの際の、被加工物表面への反応生成物の堆積を防止するとともに、GaAsのエッチング速度の安定化を図る。【解決手段】 Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)層の上にGaAs層を積層したウエハを用い、GaAs層上にエッチングマスクを形成し、反応室に塩素ガスと酸素ガスと窒素ガスとを含むエッチングガスを導入して、10<SP>10</SP>cm<SP>-3</SP>以上のプラズマ密度にプラズマ化し、上記ウエハのAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層をエッチングストップ層として、GaAs層をエッチングする。またこの選択エッチング方法を化合物半導体装置のゲートリセス構造の形成に適用する。
請求項（抜粋）：
Alを含む第1のIII-V族系化合物半導体層とこの上に積層された実質的にAlが除かれた第2のIII-V族系化合物半導体層とを有するウエハの、前記第2のIII-V族系化合物半導体層上に所定パターンのエッチングマスクを形成する第1の工程と、エッチングガスの導入口と反応ガスの排出口と前記エッチングガスをプラズマ化するプラズマ生成手段とを有し外部雰囲気からの密閉が可能な反応室内に配設された支持台に、エッチングマスクが形成された前記ウエハを支持する第2の工程と、前記導入口を介してフッ素を除くハロゲンガスと酸素ガスと窒素ガスとを含むエッチングガスを導入し1010cm-3以上のプラズマ密度にプラズマ化するとともにエッチングマスクが形成された前記ウエハの第1のIII-V族系化合物半導体層をエッチングストップ層としプラズマ化された前記エッチングガスにより前記ウエハの第2のIII-V族系化合物半導体層をエッチングする第3の工程と、を備えた化合物半導体の選択エッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/302 J
, H01L 29/80 H
