特許

J-GLOBAL ID：200903047355131477

シリコン膜の形成方法

発明者： 大内田 敬
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079727
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 高次シランを塗布することにより液相からシリコン膜を成長する方法においては、気相からの成長方法とより高速に成膜が可能だが、高次シランを結晶化させるには600°C以上の高温が必要であり、600°C以上の温度では軟化あるいは溶融するガラスや高分子フィルム等の安価な材料を、基板として用いることができなかった。【解決手段】 一般式SinH2n+2(但し、nは4≦n≦7の整数)で表される液体高次シランとシリコン微粒子との混合液を基板上に予め塗布した後、液体高次シランを熱分解することでシリコン膜を形成する。これによって、取り扱いが容易な液体高次シランを用い、シリコン微粒子を結晶核として用いることにより、各種デバイスとして使用できる品質を維持しつつ、従来より低温かつ短時間で結晶シリコン膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン微粒子を供給した後、液体高次シランを該基板上に塗布し、該基板上に塗布された該高次シランを分解することによりシリコン膜を形成すること特徴とするシリコン膜の形成方法。