特許
J-GLOBAL ID：200903047362220248
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151888
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022606
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 常温動作が可能で、歩留りのよいトンネル電流制御型トランジスタの製造工程を提供する。【構成】 シリコン基板1上にLOCOS酸化膜2を形成し、次に光CVD装置のチャンバー内にて、素子形成領域上に30Å程度の酸化膜3、グリッドとなるアモルファスSi4、酸化膜5を連続的に形成する。その後、アモルファスSiを堆積し、将来カソードとなる部分を残してパターニングする。そして、将来カソードとなる部分に絶縁物からなるサイドウォール9を形成し、チタンを堆積し、アモルファスSiと反応させチタンシリサイドを形成する。その後、シリサイド化されていないチタンをエッチングすることで自己整合的にカソード電極11およびグリッド引出し電極12が形成される。その後、シリコン基板1の裏面にアノード電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上にグリッド電極を形成する工程と、該グリッド電極を酸化して第2の絶縁膜を形成する工程と、を真空中で連続的に行うことを特徴としたトンネル電流制御型トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/68
, H01L 29/06
, H01L 29/804
