特許

J-GLOBAL ID：200903047363943235

不揮発性半導体メモリを使用した2次記憶装置

発明者： 宇野 弘晃 ,  南▲艸▼ 恭紹 ,  小野寺 貴志 ,  宮下 秀昭 ,  桑子 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328043
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリを使用した2次記憶装置に関し、不揮発性半導体メモリを構成する各ブロック領域を、使用できなくなる限度まで使い切ることを課題とする。【解決手段】 第2のブロック領域における消去回数が所定基準値に達したときには、探索手段16が現用ブロック領域から交代用ブロック領域を探す。第2の書込手段17は、交代用ブロック領域に記憶されていた情報Aを第2のブロック領域に書き込む。そして第2の対応関係変更手段18が、物理ブロック番号4を論理ブロック番号0と対応づけて、論理物理対応記憶手段11に記憶させる。第2の消去手段19が交代用ブロック領域に記憶されていた情報Aを消去し、物理ブロック番号1のブロック領域を予備のブロック領域とする。

請求項（抜粋）：

ブロック領域毎に書き換えが可能であると共に、予備のブロック領域を備えた不揮発性半導体メモリを使用した2次記憶装置において、記憶すべき各情報の識別を示す論理ブロック番号と、不揮発性半導体メモリを構成する各ブロック領域の識別を示す物理ブロック番号との対応関係を記憶する論理物理対応記憶手段と、論理ブロック番号を添えて情報の書き込みを要求されたときに、当該書き込み要求された情報を予備の第1のブロック領域に書き込む第1の書込手段と、前記論理物理対応記憶手段を参照して、前記書き込み要求された情報に添えられた論理ブロック番号に対応する物理ブロック番号を読み出す物理ブロック番号読出手段と、前記物理ブロック番号読出手段で読み出された物理ブロック番号を持つ第2のブロック領域に記憶されていた情報を消去し、当該第2のブロック領域を予備のブロック領域とする第1の消去手段と、前記第1のブロック領域の物理ブロック番号を、前記書き込み要求された情報に添えられた論理ブロック番号と対応づけて、前記論理物理対応記憶手段に記憶させる第1の対応関係変更手段と、前記第2のブロック領域における消去回数が所定基準値に達したときに、前記不揮発性半導体メモリにおける予備のブロック領域を除く全ブロック領域から、交代用ブロック領域を探す探索手段と、前記探索手段により見つけられた交代用ブロック領域に記憶されていた情報を、前記第2のブロック領域に書き込む第2の書込手段と、前記第2のブロック領域の物理ブロック番号を、前記交代用ブロック領域に記憶されていた情報の論理ブロック番号と対応づけて、前記論理物理対応記憶手段に記憶させる第2の対応関係変更手段と、前記交代用ブロック領域に記憶されていた情報を消去し、当該ブロック領域を予備のブロック領域とする第2の消去手段と、を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリを使用した2次記憶装置。