特許
J-GLOBAL ID:200903047365604101

金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-028992
公開番号(公開出願番号):特開2007-208215
出願日: 2006年02月06日
公開日(公表日): 2007年08月16日
要約:
【課題】絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な研磨方法及びそれに用いる金属用研磨液を提供する。【解決手段】半導体デバイス製造における被研磨体の化学的機械的平坦化に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、(2)、(3)及び(4)を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを一つの研磨液で連続的に研磨するために用いられることを特徴とする金属用研磨液。(1)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が60〜150nmの範囲の粒子(2)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が10〜50nmの範囲の粒子(3)酸化剤(4)アミノトリカルボン酸【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体デバイス製造における被研磨体の化学的機械的平坦化に用いる金属用研磨液であって、下記成分(1)、(2)、(3)及び(4)を含有し、銅又は銅を含む合金からなる配線と、バリア金属膜とを一つの研磨液で連続的に研磨するために用いられることを特徴とする金属用研磨液。 (1)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が60〜150nmの範囲の粒子 (2)動的光散乱法により求められる体積平均粒子径が10〜50nmの範囲の粒子 (3)酸化剤 (4)アミノトリカルボン酸
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件):
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z
Fターム (8件):
3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB07 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (3件)

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