エピタキシャル成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030885
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226265
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板と同一面方位で結晶性のよいエピタキシャル成長層を、絶縁膜によってシリコン基板と完全に分離した状態で得る。【構成】面方位(100)のシリコン基板10上に面方位(100)でマスクMを残してシードウィンドウ13を格子状に配列して形成した後、シードウィンドウ13からマスクMを残す状態でシリコン基板10をエッチングしてマスクMの下にシード結晶14を形成する。次に、酸化によりフィールド酸化膜16を形成してシード結晶14とシリコン基板10とを分離した後、シード結晶14を横方向にエピタキシャル成長させて相互に連結した一連のエピタキシャル成長層17をフィールド酸化膜16の上部に形成する。【効果】エピタキシャル成長工程においては、種結晶の全ての方位が揃った状態でエピタキシャル成長が行える。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなるマスクを形成した後、シリコン基板と同一面方位を有するようマスクを格子状にエッチング除去し、シリコン種結晶成長用の開口を格子状に配列して形成する工程、前工程にて形成された種結晶成長用の開口からマスクを残した状態でシリコン基板をエッチングしてマスクの下に種結晶を形成する工程、マスクと種結晶との全表面にシリコン窒化膜を堆積させた後、この堆積した窒化膜をマスクと種結晶との全側面に残した状態で、シリコン基板の表面に堆積した窒化膜をエッチング除去する工程、前工程にて露出されたシリコン基板の表面より酸素を注入してシリコン基板の上部に種結晶とシリコン基板とを分離する絶縁膜を形成する工程、ならびに種結晶の表面の酸化膜を残した状態で種結晶の側面の窒化膜をエッチング除去した後、種結晶を横方向にエピタキシャル成長させて相互に連結した一連の種結晶成長層を絶縁膜の上部に形成する工程を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 23/02 , H01L 21/02 , H01L 21/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-104119
特開昭62-092429
特開昭62-115841

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