特許
J-GLOBAL ID:200903047370295451

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-057542
公開番号(公開出願番号):特開平6-275759
出願日: 1993年03月17日
公開日(公表日): 1994年09月30日
要約:
【要約】【目的】 本発明は半導体装置に関し、放熱性の向上を目的とする。【構成】 半導体チップ21を封止した樹脂パッケージ本体15内に、上側放熱板28と、下側放熱板29とを埋設して設ける。上側放熱板28は、樹脂パッケージ本体15の上面に露出して、下側放熱板29は、樹脂パッケージ本体15の下面に露出して構成する。
請求項(抜粋):
半導体チップ(21)と、該半導体チップを支持するステージ(22,22A)と、ワイヤボンディングされたインナーリード部(24a)とアウターリード部(24b)とよりなるリード(24)を有する矩形状のリードフレーム(60)と、該半導体チップ、該ステージ及び該リードのうちの該インナーリード部を封止した樹脂パッケージ本体(27)とを有する半導体装置において、一端が、該リードフレームのコーナー部と接し、他端が該リードフレームのチップ搭載側に延出された第1のサポートバー(30)と、一端が、該リードフレームのコーナー部と接し、他端が該リードフレームのチップ搭載側と反対側に延出された第2のサポートバー(31)と、該第1のサポートバーの該他端と接続された第1の放熱板(28)と、該第2のサポートバーの該他端と接続された第2の放熱板(29)とを有する構成としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/29

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