特許
J-GLOBAL ID：200903047373648630
金属薄膜,その形成方法,半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258827
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法において、実用的な方法で、従来より低抵抗の金属薄膜を形成する。【構成】 クリプトン(Kr)を用いて金属ターゲット5をスパッタすることにより、基板4上に低抵抗の金属薄膜を形成する。【効果】 大きな堆積速度をもって、膜厚が均一で、かつ抵抗率の低い金属薄膜が得られる。
請求項（抜粋）：
不純物として、0.1%以下のクリプトン(Kr)を含有することを特徴とする金属薄膜。
IPC (4件)：
C23C 14/14
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/3205
