特許

J-GLOBAL ID：200903047375009538

露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 松坂 尚 ,  加藤 誠 ,  佐藤 一彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-260937
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106928
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 試料ステージ基準面への吸着が不十分な状態で搭載されているウエハに反りや凹凸が発生しても、高精度な露光を可能とする。【解決手段】 電子ビーム露光装置の真空に保たれた試料室内に設置されている試料ステージ2上に固定されているウエハ1の変形を計測し、この変形を適当な解析関数で近似し露光すべきパターンの露光位置を算出し、その露光位置をさらに試料ステージ2上に想定した基準平面に投影して目標露光位置との差を求め、これを露光位置データに加算して露光位置を補正する操作を有するものであり、変形されているウエハ1に高精度な露光を行うことができる。

請求項（抜粋）：

試料ステージ上に固定されているウエハの変形を計測し、この変形を適当な解析関数で近似して露光すべきパターンの露光位置を算出し、前記露光位置をさらに前記試料ステージ上に想定した基準平面に投影して目標露光位置との差を求め、これを露光位置データに加算して露光位置を補正することを特徴とする露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/305

FI (5件)：

H01L 21/30 541 V ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147 C ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 551