特許
J-GLOBAL ID：200903047377067993
半導体ウェーハのランプアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338194
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188213
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 ランプ光源の光の平均的照射で加熱される半導体ウェーハの周縁部の温度低下を防止して、半導体ウェーハ全体を均一な温度分布で加熱する。【構成】 ランプ光源(1)の光をリフレクタ(3)で反射し、石英板(4)を透過させて半導体ウェーハ(2)の上面全体に均一に照射して、半導体ウェーハ(2)を加熱する。半導体ウェーハ(2)は、その周縁部(2b)が円環状のホルダ(8)の内周に形成された段部(9)で支持される。ランプ光源(1)の光で半導体ウェーハ(2)と共にホルダ(8)も同温度に加熱される。このホルダ(8)の温度で半導体ウェーハ(2)の周縁部(2b)の温度低下が防止されて、半導体ウェーハ(2)の全体が均一な温度で加熱され、半導体ウェーハ(2)の全体が均一に熱処理される。
請求項（抜粋）：
ランプ光源の光を、略水平に支持された半導体ウェーハ全体に均一に照射して、半導体ウェーハを加熱する装置であって、半導体ウェーハの周縁部が離脱容易に載置される段部を内側に有する平板状で、前記ランプ光源で半導体ウェーハとほぼ同様な熱履歴で加熱される耐熱性ホルダを具備したことを特徴とする半導体ウェーハのランプアニール装置。
IPC (2件)：
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