特許
J-GLOBAL ID：200903047379501119
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017997
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 電界効果トランジスタのオン電圧を下げ、より多くの電流を流す電界効果トランジスタを提供する。【構成】 p型シリコン41に形成したn型の延長ドレイン領域42と、延長ドレイン領域42に形成したn型のドレイン領域43と、ドレイン領域43からドレイン領域43側に向けた複数の凸部42bを有するp型のチャンネル形成領域44と、ドレイン領域43とチャンネル形成領域44間に、凸部それぞれの延長線上にストライプ状に形成したp型電界緩和層46と、チャンネル形成領域44内のドレイン領域43側に形成したn型のソース領域45と、チャンネル形成領域44内に形成したp型のコンタクト領域47とを有し、チャンネル形成領域44表面上に形成したゲート酸化膜48を有する電界効果トランジスタ。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の一主面に部分的に形成した他導電型の延長ドレイン領域と、前記延長ドレイン領域の表面側に部分的に形成し、前記延長ドレイン領域よりも高濃度の他導電型のドレイン領域と、前記延長ドレイン領域内の表面側に前記ドレイン領域から一定距離に先端を配して前記ドレイン領域側に向けた複数の凸部を有し前記基板に接続して形成した一導電型のチャンネル形成領域と、前記ドレイン領域と前記凸部先端との間の前記延長ドレイン領域内の表面側であって、前記凸部それぞれの延長線上にストライプ状に形成し、前記半導体基板と同電位の一導電型電界緩和層と、前記チャンネル形成領域内の表面側に前記チャンネル形成領域外端から一定距離離して凸部先端近傍まで形成した高濃度の他導電型のソース領域と、前記チャンネル形成領域内の表面側に形成した高濃度の一導電型のコンタクト領域と前記ソース領域と前記延長ドレイン領域間の前記チャンネル形成領域表面上に形成したゲート酸化膜とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
