特許

J-GLOBAL ID：200903047380883750

絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 藤井 岳志 ,  吉川 功
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321304
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】FZ結晶またはMCZ結晶を用いた高耐圧用のノンパンチスルー型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)において、トレードオフ関係にあるオン電圧とターンオフ損失との最適な組み合わせを実現する。【構成】p+ コレクタ層1の不純物原子の総量を1×1014〜1×1015cm-2、より望ましくは5×1014〜1×1015cm-2とする。最高濃度および層の厚さとしては、それぞれ1×1019〜5×1020cm-3、0.1〜1μm とする。p+ コレクタ層1の形成法としては、ドーズ量を1×1014〜1×1015cm-2としたホウ素イオンの注入法による。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板の一方の主面の表面層の一部に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域の表面層に選択的に形成された第一導電型エミッタ領域と、前記半導体基板と第一導電型エミッタ領域にはさまれた第二導電型ベース領域の表面上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記第二導電型ベース領域と第一導電型エミッタ領域の表面に共通に接触するエミッタ電極と、半導体基板の他方の主面に形成された第二導電型コレクタ層と、そのコレクタ層の表面上に設けられたコレクタ電極とを有するものにおいて、コレクタ層の不純物原子の総量が1×1014〜5×1015cm-2であることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-007569