特許

J-GLOBAL ID：200903047389378722

半導体製造装置の超音波洗浄方法

発明者： 河崎 直茂 ,  石田 友弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210634
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031535
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ブラスト材によりブラスト処理したスパッタ装置の構成部材の表面に残留する残留ブラスト材を効率的に洗浄除去して、半導体素子の歩留まりを向上させることが可能な半導体製造装置の超音波洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体素子を製造する半導体製造装置がスパッタ装置であり、ブラスト材によりブラスト処理した上記半導体製造装置の構成部材の表面を、エッチング液にてエッチングする前処理工程を備え、上記前処理工程後に、上記半導体製造装置の構成部材の表面を、溶存ガス濃度が10ppm以下の脱気された洗浄水3を使用し、かつ超音波を発信する超音波発信装置4の超音波出力を50W以上として超音波洗浄する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を製造する半導体製造装置がスパッタ装置であり、ブラスト材によりブラスト処理した上記半導体製造装置の構成部材の表面を超音波洗浄する際に、上記構成部材を浸漬する洗浄水として、溶存ガス濃度が10ppm以下の脱気された洗浄水を使用し、かつ超音波を発信する超音波発信装置の超音波出力を50W以上としたことを特徴とする半導体製造装置の超音波洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 642 E ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/304 642 D