特許
J-GLOBAL ID：200903047397062882
遷移放射型X線発生装置用標的
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-258400
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 製作が容易で、強力かつ単色性の良好なX線が得られるX線発生装置用標的を実現する。【解決手段】 標的は、基板1上に、遷移放射の発生効率が高い物質からなる薄膜2,4,6,8,10と、X線の透過率が高い物質からなる薄膜3,5,7,9とを交互に積層した構造となっている。放射物質薄膜2,4,6,8,10及び間隙物質薄膜3,5,7,9の厚さは、所望のエネルギーの遷移放射X線が干渉条件を満たすような値に設定される。放射物質薄膜間を間隙物質薄膜で満たすことにより、放射物質薄膜を精度良く等間隔に並べ、遷移放射X線に干渉性を与える。
請求項（抜粋）：
電子ビーム照射によって遷移放射X線を発生させるX線発生装置のための、遷移放射の発生効率が高い物質からなる第1の薄膜が一定の間隔で配設された多層薄膜標的であって、前記第1の薄膜間がX線透過率が高い物質からなる第2の薄膜で満たされ、第1、第2の薄膜の厚さは、所望のエネルギーの遷移放射X線が干渉条件を満たすような値に設定されることを特徴とする遷移放射型X線発生装置用標的。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G21K 5/08 X
, H05G 1/00 D
