特許
J-GLOBAL ID：200903047398263440
EL蛍光体積層薄膜およびEL素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118474
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303690
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 高輝度で発光するEL素子を実現する。【解決手段】 基板側から、母体材料と発光中心とを含有し、母体材料および発光中心が下記組成式で表される蛍光体薄膜と、硫化物を含有し、厚さ30〜300nmのバッファ薄膜と、酸化物および/または窒化物を含有し、厚さ5〜150nmのバリア薄膜とがこの順で積層されているEL蛍光体積層薄膜。組成式 AxByOzSw:M[前記組成式において、Aは、Mg、Ca、Sr、Baおよび希土類元素から選ばれた少なくとも1種の元素、Bは、Al、GaおよびInから選ばれた少なくとも1種の元素であり、x、y、zおよびwは原子比を表し、x=1〜5、y=1〜15、z=0〜30(0を除く)、w=0〜30(0を除く)であり、Mは、発光中心となる元素を表す]
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたEL蛍光体積層薄膜であって、前記基板側から、母体材料と発光中心とを含有し、母体材料および発光中心が下記組成式で表される蛍光体薄膜と、硫化物を含有し、厚さが30〜300nmであるバッファ薄膜と、酸化物および/または窒化物を含有し、厚さが5〜150nmであるバリア薄膜とがこの順で積層されているEL蛍光体積層薄膜。組成式 AxByOzSw:M[前記組成式において、Aは、Mg、Ca、Sr、Baおよび希土類元素から選ばれた少なくとも1種の元素、Bは、Al、GaおよびInから選ばれた少なくとも1種の元素であり、x、y、zおよびwは原子比を表し、x=1〜5、y=1〜15、z=0〜30(0を除く)、w=0〜30(0を除く)であり、Mは、発光中心となる元素を表す]
IPC (5件)：
H05B 33/14
, C09K 11/00
, C09K 11/62
, C09K 11/64 CPD
, H05B 33/20
H05B 33/14 Z
, C09K 11/00 F
, C09K 11/62
, C09K 11/64 CPD
, H05B 33/20
3K007AB02
, 3K007AB04
, 3K007DA02
, 3K007DA05
, 3K007DB01
, 3K007DC04
, 3K007EA02
, 4H001CA04
, 4H001XA08
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA16
, 4H001XA20
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA49
, 4H001XA56
, 4H001YA63
