特許

J-GLOBAL ID：200903047400288650

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 坂本 弘美
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210661
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004197
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 Al合金からなる電極配線を有し、特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタを得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に下地絶縁膜2、半導体膜3、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5、ソース領域6、ドレイン領域7、層間絶縁膜8、画素電極9及びコンタクトホール10を形成する。そして、Al-1%Si合金11を堆積させ、リン酸系溶液によってウエットエッチングして、ソース電極12及びドレイン電極13を形成する。このとき、層間絶縁膜8上にはSiのエッチング残渣14が残留している。次に、パッシベーション膜15を堆積するためのプラズマCVD装置を用いてプラズマエッチングを行い、エッチング残渣14を除去する。このプラズマエッチングに連続で、同一チャンバーを用いてプラズマCVDを行い、パッシベーション膜15を形成し、薄膜トランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

基板上にアルミニウム合金を堆積する工程と、ウエットエッチングによって前記アルミニウム合金からなる電極配線パターンを形成する工程と、前記基板上に残留するエッチング残渣をプラズマエッチングによって除去する工程と、前記基板を大気中に晒すことなく、前記プラズマエッチングに連続して同一の装置を用いて絶縁膜を堆積する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (8件)：

H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 B