特許

J-GLOBAL ID：200903047407016850

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： 西脇 克彦
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099096
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293563
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【構成】 素子領域31に窒化シリコン膜からなるバリア膜15と、絶縁膜からなるトンネル膜17と、トンネル膜17上にメモリナイトライド膜19と、メモリナイトライド膜19上に二酸化シリコン膜からなるトップ酸化膜21とを設ける。このことによりトップ酸化膜21とメモリナイトライド膜19とトンネル膜17とバリア膜15からなるメモリゲート絶縁膜23を設ける。そして、ゲート電極25を設け、ゲート電極25に整合した素子領域に高濃度領域29を備える半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法。【効果】 バリア膜を設けることにより、電荷をメモリナイトライド膜中に注入したときに発生するトンネル膜への電界が弱められバリア効果が高くできる。それにより、トンネル膜の薄膜化も可能となる。その結果、プログラム時間の高速化と高いデータ保持特性の両立を達成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に窒化シリコン膜からなるバリア膜と、絶縁膜からなるトンネル膜と、窒化シリコン膜からなるメモリナイトライド膜と、酸化シリコン膜からなるトップ酸化膜とからなるメモリゲート絶縁膜とを有することを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792