特許

J-GLOBAL ID：200903047407076186

半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314207
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151017
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 Al酸化層による電流狭窄構造を有し、しかもしきい値電流が低く、量子効率が高い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ素子20は、端面発光型であって、n-InP基板21上に順次形成された、n-InPクラッド層22、SCH-MQW活性層23、下部p-InPクラッド層24、AlInAs層25、上部p-InPクラッド層26、及びp-GaInAsコンタクト層27からなる積層構造を備えている。積層構造のうち、n-InPクラッド層の上層部、活性層、下部p-InPクラッド層、AlInAs層、上部p-InPクラッド層、及びp-GaInAsコンタクト層は、ストライプ状リッジ33として形成されている。AlInAs層のリッジ側面部は、AlInAs層25中のAlが選択的に酸化されたAl酸化層28となっている。活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、InP埋め込み層34が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。

請求項（抜粋）：

活性層と、Alを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてなるAl酸化層によって、活性層の少なくとも一方の側に形成された閉じ込め構造とを有し、ストライプ状リッジ形又はメサポスト形に形成された積層構造を半導体基板上に有する半導体レーザ素子において、活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層が、形成面の中央領域に設けられた活性層の側縁からリッジ側面又はメサポスト側面まで活性層に連続して設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA43 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA12 ,  5F073DA22 ,  5F073DA27