レーザーアニール装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350548
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251342
出願日： 1991年05月28日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【構成】非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー以外に、少なくとも一つの真空処理チャンバーを有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバーと真空処理チャンバーの間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置

請求項（抜粋）：

レーザー光を照射して非晶質半導体を結晶化させる装置であって、レーザーを照射するチャンバー以外に少なくとも1つの真空処理チャンバーが設けられ、処理されるべき試料は、該真空処理チャンバーとレーザー照射チャンバーとの間を外気に触れることなく移動できることを特徴とするレーザーアニール装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (14件)

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