特許

J-GLOBAL ID：200903047421461629

半導体素子

発明者： 杉浦 理砂
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232629
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 六方晶型(ウルツ鉱型)半導体素子、例えばGaN系材料を用いた青色半導体レーザにおいて、転位伝播阻止による長寿命化、信頼性の向上を可能にする。【解決手段】 六方晶型の半導体からなる素子部を有する半導体素子において、成長基板と六方晶型の半導体からなる素子部との間に{111}成長面を有する立方晶型の歪超格子を設ける。これにより、半導体素子、特にGaN系青色半導体レーザにおいて、素子心臓部である活性層への転位伝播を抑制でき、素子の長寿命化、高信頼性化を実現できる。

請求項（抜粋）：

六方晶型の半導体からなる素子部を有する半導体素子において、成長基板と前記素子部との間に実質的な{111}成長面を有する立方晶型の歪層を設けたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18