特許
J-GLOBAL ID:200903047425572522

ふく射性ガスの選択的加熱による改質反応促進の方法、波長選択性熱放射材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 鈴江 武彦 ,  和田 祐造 ,  須田 浩史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-027353
公開番号(公開出願番号):特開2004-238230
出願日: 2003年02月04日
公開日(公表日): 2004年08月26日
要約:
【課題】投入エネルギの無駄な消費を抑え、炭化水素系ガス分子や水分子などを効率的に加熱することにより改質反応を促進できる、ふく射性ガスの選択的加熱方法、波長選択性熱放射材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】周期的な表面微細凹凸パターンを形成する多数のマイクロキャビティ5が二次元配列された熱放射面7を有する波長選択性熱放射材料8を準備し、波長選択性熱放射材料8にエネルギを投入し、ふく射性ガス分子の特定の光吸収帯の波長領域に対応する熱ふく射電磁波を熱放射面7から選択的に放射させ、この熱ふく射電磁波をメタン等のふく射性ガス分子に印加することにより、該ふく射性ガスの温度を上昇させ改質反応を促進させる。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
(i)周期的な表面微細凹凸パターンを形成する多数のマイクロキャビティが二次元配列された熱放射面を有する波長選択性熱放射材料を準備し、(ii)前記波長選択性熱放射材料にエネルギを投入し、ふく射性ガス分子の特定の光吸収帯の波長領域に対応する熱ふく射電磁波を前記熱放射面から選択的に放射させ、(iii)この熱ふく射電磁波を前記ふく射性ガス分子に印加することにより、該ふく射性ガスの温度を上昇させることを特徴とするふく射性ガスの選択的加熱による改質反応促進の方法。
IPC (1件):
C01B3/36
FI (1件):
C01B3/36
Fターム (3件):
4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB13

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