特許

J-GLOBAL ID：200903047430156634

絶縁膜の形成方法

発明者： 井澤 秀雄 ,  西 豊 ,  森本 弘
出願人/特許権者： 株式会社ジーティシー
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334723
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084888
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 有機シラン材料ガスと酸化性ガスを用い、プラズマCVD法により良好な膜質、特に優れた電気特性を有する絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】 有機シラン材料ガスと酸化性ガスを成膜チャンバーに供給し、プラズマCVD法によって絶縁膜を形成する方法において、成膜チャンバー内に酸化性ガスを先に導入し、プラズマ放電を起こし、所定の時間t1 経過後、放電を中断させることなく、有機シラン材料ガスを導入して、絶縁膜を形成後、放電を中断することなく有機シラン材料ガスの供給を止め、この後、酸化性ガスのプラズマ放電を所定の時間t2 続ける。

請求項（抜粋）：

有機シラン材料ガスと酸化性ガスを成膜チャンバーに供給し、プラズマCVD法によって絶縁膜を形成する方法において、成膜チャンバー内に酸化性ガスを先に導入し、プラズマ放電を起こし、所定の時間t1 経過後、放電を中断させることなく、有機シラン材料ガスを導入して、絶縁膜を形成後、放電を中断することなく有機シラン材料ガスの供給を止め、この後、酸化性ガスのプラズマ放電を所定の時間t2 続けることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-155625
  
• 特開平2-093071