特許
J-GLOBAL ID：200903047435867415
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066188
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも膜形成時の収縮率が小さく、このためヒビ割れがなく、絶縁性、機械的強度、耐薬品性等に優れたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【構成】 特定のアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、この前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含み、イオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下であるシリカ系絶縁膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置。
請求項（抜粋）：
一般式Rn Si(OR’)4-n (式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、nは0〜3の整数である。)で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含むシリカ系絶縁膜形成用塗布液であって、該塗布液中のイオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下である絶縁膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/312
, C09D183/00 PMM
, H01L 21/768
