特許
J-GLOBAL ID：200903047437339041
コンタクトホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138534
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335305
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 エッチングする膜厚に差がある複数の箇所にオーバエッチングすることなく、コンタクトホール(接続孔)を形成する方法を提供する。【構成】 Si基板11上のゲートポリSi12が形成されていない領域にソースドレイン領域15を形成する。次にNSG膜13とBPSG膜14を形成した上にレジスト16を塗付し、薄い膜厚の接続孔形成領域Aに形成するレジストの開口部よりも、厚い膜厚の接続孔形成領域Bに形成するレジスト開口部を大きく開口する。レジストをマスクとして接続孔形成領域Aでのエッチングが完了するまで処理し、レジストを除去後、BPSG膜上全面に金属膜を堆積させる。接続孔形成領域Bに所定大きさでBPSG膜が露出するまで金属膜をエッチングし、前記二種類の接続孔形成領域A,Bに金属膜の側壁を形成する。また接続孔形成領域Bにおけるエッチングが完了するまでBPSG膜及びNSG膜をエッチングし接続孔を形成する。
請求項（抜粋）：
エッチング処理を施す膜厚に差がある複数箇所にコンタクトホールを形成するコンタクトホールの形成方法において、a)絶縁膜上にレジストを塗布する工程b)薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Aに形成する前記レジストの開口部よりも、厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Bに形成する前記レジストの開口部を大きく開口する工程c)前記レジストをマスクとして前記薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Aにおけるエッチングが完了するまでエッチング処理を施す工程d)前記レジストを除去した後、前記絶縁膜上全面に金属膜を堆積させる工程e)前記厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Bに所定の大きさで前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜にエッチング処理を施し、前記薄い膜のコンタクトホール形成領域A及び前記厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Bに前記金属膜のサイドウオールを形成する工程f)前記厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Bにおけるエッチングが完了するまで前記絶縁膜にエッチング処理を施す工程を含んでいることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 21/90
, H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 21/88 F
, H01L 29/78 301 P
