半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182864
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005313
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】リーク電流を改善した高誘電率絶縁膜を電極間絶縁膜として使用する半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極の上方に形成された第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極と第2のゲート電極との間に挟まれた結晶化した第2の絶縁膜を具備することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極の上方に形成された第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極と第2のゲート電極との間に形成された結晶化した第2の絶縁膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (28件)：

5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083ER22 , 5F083GA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA05 , 5F101BA07 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BF09 , 5F101BH02 , 5F101BH16 , 5F101BH19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子の誘電体膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-002631 出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (6件)

半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-156625 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
五酸化タンタル-酸化アルミニウム膜の製造方法及びこれを適用した半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-346100 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-338565 出願人：株式会社東芝

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