特許
J-GLOBAL ID：200903047447513325
半導体レーザとその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245088
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097577
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 しきい値電流Ithの低減化と、セルフパルセーションを可能にする。【構成】 半導体基板20に形成したリッジ22上に断面3角形状の半導体部23が形成され、半導体部23に他と分断された活性層21が形成された半導体レーザにおいて、活性層21の共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さが中央部に比して大に選定された構成とする。
請求項（抜粋）：
埋込み型活性層の共振器長方向と直交する幅方向の両外側縁の厚さが中央部に比して大に選定されたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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