特許

J-GLOBAL ID：200903047449132892

磁気抵抗効果素子および外部磁場再生方法

発明者： 石原 邦彦 ,  山本 英文 ,  林 一彦 ,  藤方 潤一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011573
公開番号（公開出願番号）：特開平9-204612
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 小さい外部磁場で大きな再生出力と対称な再生波形を得ることが可能な人工格子磁気抵抗効果素子は提案されていない。【解決手段】 非磁性薄膜5を介して隣りあう一方の磁性薄膜3に反強磁性薄膜4が隣接して設けられた磁気抵抗効果素子において、反強磁性薄膜がNi酸化膜上にCo酸化膜、或いはNiCo酸化膜を1〜30Å積層した2層膜として構成され、かつその幅寸法であるMR高さが0.5〜1.5μm、磁性薄膜3の膜厚が10〜60Åであり、検出電流によって磁性薄膜2に生じる電流磁界の方向が、磁性薄膜3によって磁性薄膜2に生じる静磁界の方向と逆方向であって、その検出電流の密度が0.5〜5×107 A/cm2 である。

請求項（抜粋）：

非磁性薄膜を介して積層された複数の磁性薄膜からなり、前記非磁性薄膜を介して隣り合う第1および第2の磁性薄膜のうち、第1の磁性薄膜の磁化方向を固定するための手段として第1の磁性薄膜に隣接して反強磁性薄膜が設けてあり、この反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr、第2の磁性薄膜の保磁力をHc2としたときHc2<Hrであり、かつ前記反強磁性薄膜がNi酸化膜上にCo酸化膜あるいはNiCo膜を1〜30Å積層した2層膜である人工格子磁気抵抗効果膜として構成され、かつ前記磁気抵抗効果膜に検出電流を流すための一対の電極を設けた磁気抵抗効果素子において、前記第1の磁性薄膜は、前記反強磁性薄膜によって固定された磁化方向に対してほぼ直交する方向のMR高さとしての素子幅が0.5〜1.5μmとされ、かつその膜厚が10〜60Åとされ、また前記磁気抵抗効果膜に流す検出電流によって前記第2の磁性薄膜に生じる静磁界の方向と逆方向となるように設定され、さらに前記非複数の磁性薄膜の全膜厚とMR高さによって設定される断面積に対して、流れる検出電流の密度が、0.5〜5×10<SP>7 </SP>A/cm<SP>2 </SP>であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z