特許
J-GLOBAL ID：200903047453861491
薄膜形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079901
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275099
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 反応管内に付着した反応副生成物などの異物を低減でき、しかもその異物を容易に洗浄できるCVD装置などの薄膜形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の反応管としてのアウターチューブ1とアウターチューブ1の内部に設置されている第2の反応管としてのインナーチューブ2とを有する二重構造の反応管を備えており、インナーチューブ2の内部に設置されているウエハ7に窒化シリコン膜などの薄膜が形成されるCVD装置である。反応ガス9はインナーチューブ2を通過してウエハ7に薄膜を堆積した後、排気ガス16がインナーチューブ2とアウターチューブ1との間から排気される構造となっている。
請求項（抜粋）：
第1の反応管としてのアウターチューブと前記アウターチューブの内部に設置されている第2の反応管としてのインナーチューブとを有し、前記インナーチューブの内部に設置されているウエハに薄膜が形成されることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, C30B 29/06 504
, H01L 21/205
, C30B 25/08
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 Z
, C30B 29/06 504 L
, H01L 21/205
, C30B 25/08
