特許
J-GLOBAL ID：200903047458686264

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
田中 康雄

田中 康雄 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214448
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 高い実装密度が容易に得られる半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板21の両面に集積回路22,23が形成された半導体チップ20と、シリコン基板31の両面に集積回路32,33が形成された半導体チップ30とを積層する。集積回路22,23,32,33は互いに半田バンプや金属細線により電気的に接続されており、プリント配線基板12に形成された半田ボールを介して外部回路に接続される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の面上に第1の集積回路を有するとともに前記半導体基板の他方の面上に第2の集積回路を有する半導体チップを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/12 F
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開昭63-164261
  • 特開昭62-272556
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336628   出願人：新光電気工業株式会社
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