特許
J-GLOBAL ID：200903047461049860
整流素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-212080
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032794
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 本発明は、簡単な構造で整流特性を得ることができ、かつ、逆バイアス時のリーク電流の低い整流素子を提供する。 【解決手段】 基板上に第1電極層、有機半導体材料層、拡散抑制層、第2電極層の順に薄膜として形成される整流素子であって、有機半導体材料層と第2電極層との間に電気抵抗率が10MΩcm以上の拡散抑制層を設ける。有機半導体材料層はフラーレン類であることが好ましく、拡散抑制層はフッ化リチウムであることが好ましい。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に第1電極層、有機半導体材料層、第2電極層の順に薄膜として配置してなる整流素子において、
前記有機半導体材料層と前記第2電極層との間に電気抵抗率が10MΩcm以上の拡散抑制層を設けたことを特徴とする整流素子。
IPC (3件)：
H01L 51/05
, H01L 29/06
, H01L 49/02
H01L29/28
, H01L29/06 601N
, H01L49/02
