特許
J-GLOBAL ID：200903047463695140
電力用半導体素子の保護方式
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-068331
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 ヒートシンク熱時定数より短い断続負荷運転の場合でも電力用半導体素子の保護が十分に行えるようにする。【構成】 推定したトランジスタのジャンクション温度が第一の設定温度を超えると、コンパレータ19が動作して電流制限が行われ、第一の設定温度より高い第二の設定温度を超えると、コンパレータ20が動作してインバータ電流を遮断する。
請求項（抜粋）：
電力用半導体素子を使用したインバータ回路と前記電力用半導体素子を冷却するヒートシンクを備えたインバータ装置において、前記ヒートシンク上にサーミスタを設置し、前記サーミスタの抵抗値変化により前記ヒートシンク温度を検出するとともに、前記電力用半導体素子のドライブ信号と出力電流から半導体素子電流を計算し、前記電力用半導体素子の熱抵抗に基づいて前記電力用半導体素子のヒートシンクとジャンクション間の温度上昇を推定し、前記電力用半導体素子のジャンクション温度が第一の設定温度を超えると前記インバータ回路の電流制限動作を行い、前記第一の設定温度より高い第二の設定温度を超えるとインバータ電流を遮断することを特徴とする電力用半導体素子の保護方式。
IPC (6件)：
H02H 7/122
, H02H 5/04
, H02H 6/00
, H02H 7/12
, H02M 1/00
, H02M 7/48
