特許

J-GLOBAL ID：200903047464846869

III族窒化物結晶およびその製造方法

発明者： 中畑 成二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165083
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005378
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】転位密度の小さい良質のIII族窒化物結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上にIII族窒化物結晶膜2を成長させ、さらにその上に金属膜3を堆積させた後、熱処理することによって前記金属膜3を金属窒化物膜4に変えかつ細孔4hを生じさせるとともに、前記III族窒化物結晶膜2中に空隙部2bを形成した後、さらにIII族窒化物結晶を成長させることにより、前記空隙部2bを埋め込み用III族窒化物結晶5で埋め込み、前記金属窒化物膜4上にIII族窒化物結晶6を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にIII族窒化物結晶膜を成長させる工程、 前記III族窒化物結晶膜上に金属膜を堆積する工程、 前記III族窒化物結晶膜を成長させ前記金属膜を堆積した基板を、熱処理することにより、前記金属膜に細孔を生じさせるとともに、前記III族窒化物結晶膜中に空隙部を形成する工程、 前記空隙部が形成されたIII族窒化物結晶膜上に、酸素濃度0.1モル%以下の雰囲気中で埋め込み用III族窒化物結晶を成長させて、前記III族窒化物結晶膜中の空隙部を埋め込む工程、 前記金属膜上に酸素濃度0.1モル%以下の雰囲気中でIII族窒化物結晶を成長させる工程を含むことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA10