特許

J-GLOBAL ID：200903047471103308

薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置

発明者： 古田 守 ,  川村 哲也 ,  ▲〓▼岡 達男 ,  佐野 浩 ,  宮田 豊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034660
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235355
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 ゲート電極が活性層の下側(基板側)に位置する薄膜トランジスタの閾電圧を任意に制御可能にする。【構成】 ゲート電極が薄膜トランジスタの活性層の下側(基板側)に位置する薄膜トランジスタにおいて(図1)(b)活性層の上部に絶縁膜を形成した後、不純物イオンを活性層に導入する(図1)(c)ことにより不純物の導入深さおよび導入量を任意に制御し薄膜トランジスタの閾電圧を制御する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極が半導体活性層の下側(基板側)に形成される構造を特長とする薄膜トランジスタにおいて、半導体活性層上に絶縁膜を形成する工程と前記絶縁膜上より不純物をイオン化して半導体薄膜中に導入することにより薄膜トランジスタの閾電圧を変化させる工程を有することを特長とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-276768
  
• 特開平1-235383
  
• 特開昭64-053462
  
• 特開昭63-194326