特許
J-GLOBAL ID：200903047472114869
静電容量式圧力センサとその製造方法、およびその静電容量式圧力センサを用いたガス異常監視装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118713
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304208
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ダイアフラムの板厚を薄くすることなく、高感度を実現する。【解決手段】 電気絶縁性材料からなる固定基板1の片面に第1の電極3を設け、電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラム2には片面に第2の電極4を設けるとともに少なくとも片面周縁部に溝5を設け、第1の電極3と第2の電極4とが微小な間隙を保って対向するように、固定基板1とダイアフラム2とを接着層6で接着固定する。電気絶縁性弾性材料としてセラミック材料、溝5の深さをダイアフラム2の板圧の1/10ないし8/10、溝5の加工法としてレーザ加工法、超音波加工法、ダイアモンド研削加工法のいずれか1つ以上を用いる。なお、加工後に熱処理、エッチング処理して歪、マイクロクラックを除去する。
請求項（抜粋）：
片面に第1の電極が形成された電気絶縁性材料からなる固定基板と、片面に第2の電極を形成されるとともに、少なくとも片面の周縁部に溝を備えた電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第1の電極と前記第2の電極とが微小な間隙をもって対向するように、前記固定基板と前記ダイアフラムとを接合した接着層とを備えた静電容量式圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, G01F 1/00
, H01L 29/84
G01L 9/12
, G01F 1/00 T
, H01L 29/84 Z
