特許
J-GLOBAL ID:200903047477653768
酸化物イオン伝導体およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
千葉 剛宏
, 宮寺 利幸
, 佐藤 辰彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-119713
公開番号(公開出願番号):特開2004-327210
出願日: 2003年04月24日
公開日(公表日): 2004年11月18日
要約:
【課題】1000°Cを下回る低温度領域〜中温度領域における酸化物イオン伝導度が著しく優れ、このために燃料電池等の運転温度を引き下げることが可能な酸化物イオン伝導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】例えば、La2O3粉末、GeO2粉末およびTiO2粉末を、最終的に得られるLasGe6-tTitO1.5s+12におけるsの値が8〜10、tの値が3未満となる割合で混合して成形した後に焼結し、酸化物イオン伝導体とする。このLasGe6-tTitO1.5s+12(8≦s≦10、0<t<3)の結晶の構造は、アパタイト型構造に属する。そして、その単位格子10では、LasGe6O1.5s+12(8≦s≦10)の結晶の単位格子に比して、C軸の格子定数cが短くなるか、または、A軸およびB軸の各格子定数a、bが大きくなる。換言すれば、Geの一部をTiで置換した後のc/aまたはc/bは、置換前のc/aまたはc/bから低下する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
結晶に含まれる単位格子がA軸、B軸およびC軸の座標軸を有し、前記C軸方向に酸化物イオンが移動することによって酸化物イオン伝導が発現する酸化物イオン伝導体であって、
前記単位格子におけるA軸方向の格子定数をa、B軸方向の格子定数をb、C軸方向の格子定数をcとするとき、c<aかつc<bが成立することを特徴とする酸化物イオン伝導体。
IPC (6件):
H01B1/08
, C04B35/50
, G01N27/409
, H01B1/06
, H01B13/00
, H01M8/02
FI (6件):
H01B1/08
, C04B35/50
, H01B1/06 A
, H01B13/00 Z
, H01M8/02 K
, G01N27/58 A
Fターム (14件):
5G301CA02
, 5G301CA25
, 5G301CA28
, 5G301CA30
, 5G301CD10
, 5G301CE02
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB02
, 5H026BB08
, 5H026CX04
, 5H026EE13
, 5H026HH00
, 5H026HH08
前のページに戻る