特許

J-GLOBAL ID：200903047480262907

銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板

発明者： 國分 正也 ,  浜田 紀彰 ,  山口 浩一 ,  古久保 洋二 ,  永江 謙一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249717
公開番号（公開出願番号）：特開平10-095686
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】ガラスセラミック磁器と同時焼成でき、半田濡れ性が良好な絶縁基体に反り等の変形がなく、銅配線層とガラスセラミック磁器との接着強度が高い銅メタライズ組成物と、該銅メタライズ組成物から成る配線層を形成した、各種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適なガラスセラミック配線基板を得る。【解決手段】800〜1000°Cの温度でガラスセラミック磁器と同時焼成可能な銅メタライズ組成物で、主成分のCu又はCu2 O、あるいはCu-Cu2 O混合物又はCu-CuO混合物に、その収縮開始温度を遅らせるAl2 O3 、ZrO2 、Y2 O3 、NiO、MgO、ZnO、Mg2 SiO4 、MgSiO3 、SiO2 、Nb2 O5 等の金属酸化物、又はNi、W、Mo、Si、Fe、Co、Ag等の金属の少なくとも一種を総量で0.5〜30.0体積%含有する。

請求項（抜粋）：

800〜1000°Cの温度でガラスセラミック磁器と同時焼成可能な銅メタライズ組成物であって、主成分のCu又はCu2 O、あるいはCu-Cu2 O混合物又はCu-CuO混合物に対して、金属酸化物としてAl2 O3 、ZrO2 、Y2 O3 、NiO、MgO、ZnO、Mg2 SiO4 、MgSiO3 、SiO2 、Nb2 O5 、又は金属としてNi、W、Mo、Si、Fe、Co、Agの内、少なくとも一種を無機成分中に総量で0.5〜30.0体積%含有したことを特徴とする銅メタライズ組成物。

IPC (2件)：

C04B 41/88 ,  H05K 1/09

FI (2件)：

C04B 41/88 C ,  H05K 1/09 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 銅メタライズ組成物およびそれを用いたガラスセラミック配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316450   出願人：京セラ株式会社
• セラミツクス用メタライズ組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-154960   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 特開平4-083781
  
• 特許第3420426号