特許

J-GLOBAL ID：200903047480532297

無機質ミクロファイバー製造方法および無機質ミクロファイバー

発明者： 冨増 多喜夫 ,  前田 佳均 ,  林 良一 ,  大脇 成裕
出願人/特許権者： 株式会社自由電子レーザ研究所
代理人 (1件)： 中尾 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251011
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 室温で可視発光可能な、かつ、デバイスへの応用が容易な発光材料の提供。【構成】 例えば、室温下、空気中で、水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)に、a-Si:H中の3電子結合に吸収される波長7.85μmの、かつ、ピークパワー密度が0.2〜2GW/cm2 、平均パワー密度が20〜24mW/cm2 の自由電子レーザ光を照射する。短時間で製造でき、工業化が容易である。おもに、シリコンと二酸化シリコンとからなる無機質ミクロファイバーであってシリコンの量子点の半径が2〜3nmである。室温下、可視領域で発光し、量子点のサイズを制御すれば発光波長可変な発光材料となる可能性も考えられる。光集積回路の光導波路や光変調素子への応用が期待できる。

請求項（抜粋）：

炭素、窒素および/または酸素を含む雰囲気中で、IV族半導体のアモルファス;IV族半導体の炭化物、窒化物または酸化物のアモルファス;III-V族化合物半導体のいずれかの物質Aに、物質Aの格子振動または格子欠陥に吸収される波長の、かつ、物質Aのアブレーションを生ずるパワー密度よりも小さいが物質Aの溶解蒸散を生ずるパワー密度を有するレーザ光を照射することを特徴する、無機質ミクロファイバー製造方法。

IPC (5件)：

C01B 33/04 ,  B01J 19/12 ,  C30B 29/62 ,  G02B 6/00 356 ,  G02B 6/00 376

FI (6件)：

C01B 33/04 ,  B01J 19/12 B ,  B01J 19/12 H ,  C30B 29/62 V ,  G02B 6/00 356 Z ,  G02B 6/00 376 B