特許

J-GLOBAL ID：200903047480886102

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、およびこれらの製造方法

発明者： 牧野 栄治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252394
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 磁気感知層を有する磁気抵抗効果(MR)素子部に磁束ガイドが磁気的に結合されたMR素子にあって、感度の向上、安定化の向上を図る。【解決手段】 本発明によるMR素子は、MR素子部35の磁気感知層、前方磁束ガイド8、後方磁束ガイド9の少なくともいずれかの膜面に、安定化反強磁性層21が直接的に交換結合して配置されるか、非磁性スペーサ層22を介して長距離交換結合して配置された構成として、外部検出磁界が与えられない状態での安定化反強磁性層との直接的交換結合あるいは長距離交換結合によってMR素子部の磁気感知層、前方磁束ガイド、または後方磁束ガイドの少なくともいずれかの磁化容易軸の向きの設定が最適化されて行われるようにして、感度、安定化、ノイズの改善を図る。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子部の磁気感知層に、磁気的に結合される少なくとも前方磁束ガイドあるいは後方磁束ガイドの少なくとも一方が設けられて成る磁気抵抗効果素子であって、上記磁気抵抗効果素子部の磁気感知層、上記前方磁束ガイド、または上記後方磁束ガイドの少なくともいずれかの膜面に、安定化バイアス用反強磁性層が直接的に交換結合して配置されるか、非磁性スペーサ層を介して長距離交換結合して配置されて成り、上記安定化用反強磁性層との直接的交換結合あるいは長距離交換結合によって上記磁気抵抗効果素子部の磁気感知層、上記前方磁束ガイド、または上記後方磁束ガイドの少なくともいずれかの磁化容易軸の向きの設定がなされたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (15件)：

2G017AA04 ,  2G017AB07 ,  2G017AC07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034AA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA18 ,  5D034DA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12 ,  5E049JC01