特許
J-GLOBAL ID：200903047486371406
不揮発性半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125093
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 特に中間絶縁層を通してのチャージリークを有効に防止し、チャージリテンションの向上を図り、データ保持特性の向上を図ることができる不揮発性半導体装置を提供すること。【構成】 フローティングゲート8の上にコントロールゲート12が中間絶縁層10を介して積層してある不揮発性半導体装置において、中間絶縁層10またはコントロールゲート12における中間絶縁層側界面に、リンが含有してある領域を有する。リンが含有してある領域の態様は、特に限定されず、たとえばPSG膜あるいはBPSG膜などのリン含有膜が、中間絶縁層10を構成することもできる。また、このようなリン含有膜が中間絶縁層10の一部を構成しても良いし、コントロールゲートの中間絶縁層側界面に含まれていても良い。リン含有膜は、窒化シリコン膜でもよい。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートの上にコントロールゲートが中間絶縁層を介して積層してある不揮発性半導体装置において、上記中間絶縁層にリンが含有してある領域を有することを特徴とする不揮発性半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
