特許

J-GLOBAL ID：200903047488395450

不揮発性ランダムアクセスメモリアレイ

発明者： ロバート・エドウィン・ジョーンズ・ジュニア
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-048121
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288470
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【課題】 小型かつ信頼性ある不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)装置を実現する。【解決手段】 NVRAMアレイ30はドライブ線セグメントDSL11に関連する部分31を有する。ドライブ線セグメントDSL11は制御トランジスタ32によってドライブ線DL1に結合されている。この配置はドライブ線セグメントDSL11の部分である導電性部材112がメモリ容量118とほぼ同じ高さで形成できるようにする。このレイアウトはさらにドライブ線DL1,DL2とビット線BL11,BL12,BL13,BL14が、トランジスタの間ではなく、制御およびメモリトランジスタ32,34の上に形成できるようにする。このプロセスは小型かつ信頼性あるNVRAM装置を形成する。

請求項（抜粋）：

不揮発性ランダムアクセスメモリアレイ(30)であって、ソース/ドレイン領域(52)を含む制御トランジスタ(32)であって、該制御トランジスタ(32)は電気的にドライブ線に接続されているもの、メモリトランジスタ(34)およびメモリ容量(36)を含むメモリセルであって、前記メモリトランジスタ(34)はソース/ドレイン領域(52)を有し、かつ前記メモリ容量(36)は前記メモリトランジスタ(34)のソース/ドレイン領域(52)の上に横たわりかつ該ソース/ドレイン領域(52)に電気的に接続された第1の電極(76)を含むもの、そして前記制御およびメモリトランジスタ(32および34)のソース/ドレイン領域(52)の上に横たわる導電性部材(116)であって、該導電性部材(116)は前記制御トランジスタ(32)のソース/ドレイン領域(52)に電気的に接続されているもの、を具備することを特徴とする不揮発性ランダムアクセスメモリアレイ(30)。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 652 Z